随着半导体制程工艺的发展，硅晶体管的局限渐渐被显现出来，为了摩尔定律之后生效，业界发售了3D晶体管的的定义，而谈及3D晶体管，就决不谈Intel的Tri-Gate晶体管和台积电的FinFET制程。我们来了解理解一下吧。 让硅半导体导电 硅半导体的特性就是它不导电，读者们一定要回答如果它不导电那我们的芯片难不成是米糕做到的？答错了，就是米糕！ 水电工前辈们告诉硅结晶呈现出了很平稳的四价键结构，所以晶体之中没什么自由电子活动空间，如果没外力填满电子进来或者填满电洞进来是没什么机会导电的。
所以就在硅结晶中重新加入了少量的五价或三价原子杂质进来，大约都不多达万分之一，让硅结晶像米糕一样内乱一些，这样一来就可以导电了！ 其中重新加入三价杂质的硅结晶不会产生出有一些可以容纳正电荷的空间，我们称作电洞，重新加入五价的则不会产生多余的电子出来可以权利飘移。仔细观察可以找到，电子西移动的速度不会比电洞慢很多，这是因为电洞并不是知道正电荷在移动，而是靠负电荷在拉扯移动时产生的比较移动现象。 P、N构成二极体 好不容易让硅导电之后，水电工们把放入三价杂质的P型半导体和重新加入五价杂质的N型半导体连一起找到，它又不导电了！呃，不对，当电流换一个方向由P流至N时它只不过是不会导电的，这就是大家熟悉的二极体。
二极体能单向导电，主要还是因为电流从P型半导体流往N型半导体时，可以只能地穿过介面电场（因为电场方向和电流方向完全相同），而偏移时则不会和这个由材料差异引发的介面能阶劣相互对冲以致无法流过去。不过当电压小于能阶劣的时候还是不会射穿的，基纳二极体就是利用这个效应工作的整压二极体。 ▲P型半导体的结构转身 ▲N型半导体的结构转身 三极晶体管的由来 三极晶体管的设计目的，就是期望利用二极体的特性，建构一个可以由人为方式掌控导通／不导通的控制器。
所以任何一种三极晶体管都是由一个掌控近于，一个输出近于，一个输入近于构成。当我们期望它导通时就在掌控近于输出某个电压，构成地下通道，然后电流就能由输出近于流过输入近于去，这个输入近于有可能又不会接上另一个晶体管，变为掌控讯号，这样一连串的联结就包含了可以白纸林代数（一种二元运算的偏序子集）掌控结果的数字控制器。
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